功率半导体器件设计工程师 12k-24k

职位描述：
1.从事大功率半导体器件机理研究、芯片设计相关工作；
2.负责大功率半导体器件失效机理和性能调控方法研究工作；
3.负责芯片结构设计和参数优化、性能仿真、工艺参数仿真、版图设计工作；
4.配合工艺研发和流片相关工作。
任职要求：
1.国内外正规***大学硕士及以上学历，电气工程、微纳电子、材料物理与化学等相关专业； 2.熟悉功率半导体器件（如晶闸管、IGBT、IGCT、MOSFET等）工作原理； 3.熟练运用Sentaurus、Silvaco等半导体设计仿真软件、熟悉半导体制造工艺者优先；
4.大学英语CET-6级或相当水平以上，有良好的英文基础，能够流利阅读英文文献；
5.勤奋、主动性优，具有团队协作意识，工作认真，责任心强，具有较强的解决问题能力和交流沟通能力。