IGBT研发工程师 25k-45k

岗位职责：
1、负责根据公司产品开发流程完成产品开发。
2、负责IGBT 、 IGBT模块结构设计并优化工艺流程。
3、负责器件及工艺仿真，版图设计，工艺流程制定以及与代工厂对接沟通流片方案制定及相关事宜；
4、负责制定封装方案以及参数测试规范，分析测试数据；
5、负责制定可靠性考核及产品失效分析方案；
6、负责调整设计和工艺方案，提高产品性能及良率；
7、负责产品定型机量产阶段及量产后，配合相关部门对接沟通相关工作事宜；
8、负责专利的撰写以及协助各部门的技术支持工作以及日常的文档报告输出。

任职条件：
1、半导体物理和半导体器件物理基础扎实，特别是功率器件的理论知识；
2、熟练掌握功率半导体设计开发和工艺流程，熟悉功率半导体器件测试和可靠性考核；
3、有4年以上功率半导体器件设计经验，有成功的600V~3300V IGBT&FRD产品开发及量产流片相关经验；
4、熟练掌握TCAD半导体工艺和器件仿真软件（如Sentaurus），熟悉版图设计工具；
5、具备较强的逻辑思维和归纳总结能力、较强的创新和决策能力以及良好的沟通和抗压能力，工作主动性、执行力和团队协作能力强，做事严谨细致；
6、熟悉IATF16949：2016标准要求和五大核心质量工具，包括APQP＆CP、FMEA、PPAP、SPC、MSA，优先。