功率器件研发（IGBT DMOS FRD） 25k-40k

【工作内容】
- 负责半导体功率器件（IGBT、DMOS、FRD）的研发设计与性能优化，包括结构仿真、材料选型及工艺参数制定；
-熟悉各类 IGBT、DMOS、FRD产品原理，熟悉市场主流技术与产品；
- 撰写技术文档、专利申报及研发报告，跟踪行业前沿技术动态；
- 协同生产部门解决试产问题，推动产品良率提升与成本优化。
【任职要求】
- 电子工程、微电子或相关专业本科及以上学历，5年以上相关工作经验。
- 熟悉产品应用及不同场景对产品的差异化需求，具备不同需求产品开发能力，离练使用产品仿真软件；
- 对功率器件应用有浓厚兴趣，熟悉IGBT/DMOS/FRD的工作原理及应用场景者；
- 具备良好的逻辑思维与跨部门沟通能力，能适应高强度研发节奏；