碳化硅工艺工程师 30k-40k

岗位职责
1、负责 PVT 法生长导电型、半绝缘型 SiC 单晶的工艺配方设计、开发及实验验证，持续优化晶体生长工艺参数；
2、制定、修订晶体生长全流程（装料、升温、生长、冷却）的标准化作业程序（SOP），保障工艺执行的规范性与稳定性；
3、针对晶体质量不合格等重大生产异常，开展根本原因分析，制定并落地整改方案；
4、结合工艺需求提出设备改进建议，推动设备迭代升级，提升晶体生长效率与质量；
5、组织内部技术培训，分享晶体生长专业知识与实操经验，提升团队整体工艺技术水平。

任职要求：
1、硕士及以上学历，化工、材料、过程控制等相关专业；
2、3年及以上相关工作经验，深入理解晶体生长理论、固态相变、缺陷形成机理，掌握半导体物理基础、热力学与传热学核心知识；
3、能够独立解读晶体质量检测报告，并精准关联工艺环节进行问题分析；动手能力强，适应生产现场工作环境，具备良好的抗压能力；
4、具备严谨的逻辑分析能力、问题解决能力，良好的沟通协调能力及团队协作意识。