IGBT技术开发工程师 13k-26k

1、负责12寸功率芯片工艺平台开发，维护及优化；负责新产品的开发，并根据需求提供工艺技术解决方案，协同设计部门完成DOE设计、流片验证、可靠性验证、产品特性及应用验证等，推进新产品到达量产
2、负责工程实验规划、进度追踪、产品失效分析及改善，撰写整理实验报告及改进措施
3、负责下一代功率器件工艺技术开发，与module工程师合作完善工艺开发流程解决平台开发过程中的技术相关难题，协同客户完成产品性能验证，推进产品平台迭代
4、负责新项目的技术可行性评估，负责客户的工艺相关技术沟通，内部沟通协调工程资源，按照项目开发计划推动落实。细化新平台、新产品项目开发细化、执行、监督，协调，确保各项目节点按时交付
岗位要求：
1、本科及以上学历，微电子、物理、电子科学与技术等半导体相关专业，5年以上半导体相关工作经验，硕士学历优先
2、了解功率器件产品基本原理，了解IGBT各项参数及测试方法、测试原理
3、熟练使用办公软件，掌握如PPT, Word， excel等工具
4、有功率器件产品开发、量产经验、沟通协调能力强，较强的学习能力、责任心及团队精神
5、具备12寸IGBT制程平台、产品开发经验者优先